Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP

Auer, Uwe Horst

Veröffentlicht

Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP

Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten

Vorschau

Einordnung

Titelübersetzung:: InP-based heterostructure field-effect transistor (Englisch)
Datum der Erstellung:: 02.12.1999
Datum der Promotion:: 02.12.1999
URN:: urn:nbn:de:hbz:464-duett-05212001-0810529
PURL:: http://purl.oclc.org/NET/duett-05212001-081052
Sprache:: Deutsch
Ressourcentyp:: Text
Schlagwörter:: Transistormodell; InP; Gate-Strom; Durchbruchspannung; InGaAs-Kanal; Transistor
Kollektion:: E-Dissertationen
Dewey Dezimal-Klassifikation:: 620 Ingenieurwissenschaften
Sachgruppen der Deutschen Nationalbibliographie:: 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Einrichtung:: Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Elektrotechnik und Informationstechnik